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在三维集成中 TSV 技术可分为三种类型:在 CMOS ⼯艺过程之前在硅片 上完成
通孔制作和导电材料填充的是先通孔技术;⽽中通孔，在CMOS制 程之后和后端
制程(BEOL)之前制作通孔。后⼀种后通孔技术是在 CMOS ⼯艺完成后但未
进⾏减薄处理时制作通孔。终技术⽅案的选择要 根据不同的⽣产需求。
TSV制程关键⼯艺设备
TSV制作⼯艺包括以下⼏步:通孔制作;绝缘层、阻挡层和种⼦层的 沉积;铜填充;
通过化学机械抛光去除多余的⾦属;晶圆减薄;晶圆键合 等。 每⼀步⼯艺都有相
当的技术难度，在通孔制作步骤，保持孔的形状和控制 ⻆度非常重要，通过
Bosch⼯艺来实现深孔刻蚀;在沉积绝缘层、阻挡层 和种⼦层时，需要考虑各层
的均匀性和粘附性;铜填充时避免空洞等 缺陷，这样填充的铜可以在叠层
器件较⾼的温度下保持正常的电性能;⼀ 旦完成了铜填充，则需要对晶圆进⾏
减薄;后是进⾏晶圆键合。
电镀铜填充设备
很多成本模型显示，TSV填充⼯艺是整个⼯艺流程中昂贵的步骤之⼀。 TSV
的主要成品率损耗之⼀是未填满的空洞。电镀铜⼯艺作为合适的硅 通孔填充
技术受到业内的普遍关注，其关键技术在于TSV⾼深宽比(通常 ⼤于10:1)通孔的
全填充电镀技术。
封装之TSV及TGV技术初探
其中，玻璃诱导刻蚀法如下:
1) 使用皮秒激光在玻璃上产⽣变性区域;2)将激光处理过的玻璃放在 氢氟酸溶液
中进⾏刻蚀。
玻璃通孔⾼密度布线
线路转移(CTT)和光敏介质嵌⼊法，是比较常用的⽅式。 CTT主要 包括两个过
程。⼀是精细RDL线预制，每⼀RDL层可以在可移动载体上单 制造⼀层薄导
电层，并在转移到基板上之前测试或检查细线成品率。精 细线路的形成采用细
线光刻和电解镀铜的⽅法，并且以薄铜箔作为镀层的 种⼦层
基于玻璃通孔的MEMS封装
2013年，LEE等利用玻璃穿孔技术实现射频MEMS器件的晶圆级封装， 采用电
镀⽅案实现通孔的完全填充，通过该⽅案制作的射频MEMS器件在 20GHz时具
有0.197dB的低插⼊损耗和20.032dB的⾼返回损耗。2018年， LAAKSO等创造性
地使用磁辅助组装的⽅式来填充玻璃通孔，并用于 MEMS器件的封装中。
北京汐源科技有限公司
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