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福建硅通孔填充⼯艺,动态硅通孔填充⼯艺

更新时间:2024-04-25 10:56:57 编号:7c2dv3m7md7610
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  • 硅通孔填充⼯艺,铜电化学沉积,动态硅通孔填充⼯艺,TSV电镀

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徐发杰

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福建硅通孔填充⼯艺,硅通孔填充⼯艺,福建硅通孔填充⼯艺,FIB
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福建硅通孔填充⼯艺,动态硅通孔填充⼯艺

目前对TSV填充的研究主要集中在条件优化和填充机理上。
为了实现⽆缺陷的 TSV 填充,电镀溶液中的特定添加剂,即
氯离⼦、抑制剂和促进剂进⾏了深⼊研究 。与特定添加剂和
通孔结构相对应的佳电沉积参数已被⼴泛研究。. 在这些参
数中,电流密度对填充形态的影响尤为显着。尽管特定的添
加剂可以有效地实现⽆缺陷填充,但所需的步骤很复杂,沉
积速率低,相关成本⾼。为了克服添加剂辅助填充⽅法的缺
陷,⼴泛研究了脉冲电流、脉冲反向电流、周期性脉冲反向
电流和多步电流等电镀电流波形. 同时,已经引用了⼏种机制
来解释⽆缺陷填充过程,例如传统的流平模型、对流相关吸
附模型、时间相关传输-吸附模型和曲率增强加速器覆盖模
型。动态 TSV 填充对于 TSV 填充研究的各个⽅面都很重要。
它是优化条件的基础,反映了填充模型的机制。然⽽,现有
的研究只关注在特定时刻获得的填充结果。很少系统地研究
连续和全面的动态 TSV 填充过程。在这项研究中,我们通过
在不同电流密度下的分阶段电沉积实验证明了 TSV 动态填充
过程。获得了实现⽆缺陷填充的佳电流密度。讨论了电流
密度对填充模型的影响。此外,镀层的形态演变表明,局部
沉积速率受镀层⼏何特征的影响。

北京汐源科技有限公司
随着电子产品 半导体产品不断的更新换代 在国家对高科技产业的大力支持下 汐源科技同时也为电子 半导体行业提供良好的保障。
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TSV 互连具有缩短路径和更薄的封装尺⼨等优点,被认为是三维集成的核
术。 TSV 结构如下图所示,在硅板上面有加⼯完成的通孔;在通孔内由内到外
依次为电镀铜柱、绝缘层和阻挡层。绝缘层的作用是将硅板和填充的导电 材料
之间进⾏隔离绝缘,材料通常选用⼆氧化硅。由于铜原⼦在 TSV 制 造⼯艺流
程中可能会穿透⼆氧化硅绝缘层,导致封装器件产品性能的下降 甚⾄失效,⼀
般用化学稳定性较⾼的⾦属材料在电镀铜和绝缘层之间加⼯ 阻挡层。后是用
于信号导通的电镀铜。

Ablestik:
导电银胶:主要经营有ABLEBOND 84-1A、84-1LMI、 84-1LMINB(B1)、 84-1LMISR4、84-1LMIT(T1)、 826-1DS、826-2、2600AT、2600BT、2185A、2030SC、2100A、3185、8290、8340、8360、8352L、968-2、979-1、71-1、JM7000等一系列产品,适用于半导体(IC)封装(如DIP/SOP/TO-92/BGA...)、LED(如普通发光二极管/LAMP/大功率管/数码管...)等领域,用于各种贴片、点胶、背胶等工艺.

绝缘胶:主要经营有ABLEBOND84-3、84-3J、84-3LV、84-3MV、789-3、789-4、2025D 、2025M、 2035SC 、8384、8387A、8387B、2039H、DX-10、DX-20-4等一系列产品,适用于半导体(IC)封装、摄像头(CMOS/CCD)工艺、LED、智能卡等领域,用于各种贴片、或有粘贴的等工艺.

UV胶:主要经营有ABLELUXHGA-3E、HGA-3S、A4021T、A4035T、A4039T、A4061T、A4083T、A4086T、A4088T、A4502、CC4310、AA50T 、BF-4 、OG RFI146T等一系列UV紫外固化胶,适用于光电、光电仪表、光纤、手机摄像头(CMOS)等领域;如手机摄像头Lens固定,光纤耦合器(Coupler),激光器(Laser),跳线(Jamper),衰减器(Attenuator),探测器(Detector)等。

胶膜:主要经营有ABLEFILM506 、508、550S、561K、570K、5020、5020K、5025E等一系列产品,适用于各种电子产品,军产品,电源等。
底部填充胶:FP4450、UF1173、4531、4451等系列。

在三维集成中 TSV 技术可分为三种类型:在 CMOS ⼯艺过程之前在硅片 上完成
通孔制作和导电材料填充的是先通孔技术;⽽中通孔,在CMOS制 程之后和后端
制程(BEOL)之前制作通孔。后⼀种后通孔技术是在 CMOS ⼯艺完成后但未
进⾏减薄处理时制作通孔。终技术⽅案的选择要 根据不同的⽣产需求。

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  • 北京 朝阳
  • 有限责任公司(自然人投资或控股)
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