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ST意法单片机 |
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STW70N65DM6
N沟道650 V、360 mOhm典型值、68 A MDmesh DM6功率MOSFET,TO-247封装
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与上一代MDmesh快速产品相比,DM6具有非常低的恢复电荷(QRR)、恢复时间 (tRR)和R的出色改进DS(开启)单位面积,具有市场上有效的开关行为之一,适用于要求苛刻的桥式拓扑和 ZVS 移相转换器。
ST其他部分单片机MCU型号:
STM32F101R6T6
STM32F101C6T6
STM32F103C6T6
STM32F103R6T6
STM32F101T6U6
STM32F103T6U6
STM32L433CCT6
STM32L443CCU6
STM32F334R8T6
STM32L433RCI6
STM32L443CCT6
STM32L432KCU3
STM32L083VZT6
STM32L452RCI6
STM32L451CEU6ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。
SCT50N120
碳化硅功率 MOSFET 1200 V、65 A、59 mOhm(典型值 TJ = 150 C),采用 HiP247 封装
所有功能
导通电阻随温度的变化非常小
非常高的工作结温能力(TJ= 200 °C)
非常快速和坚固的本征体二极管
低电容
ST其他部分单片机型号:
STM32F412ZGT6
STM32L496VGT6
STM32F745VET6
STM32H723ZGI6
STM32L4A6VGT6
STM32L496QGI6
STM32F405RGT7
STM32L4A6QGI6
STM32H725AGI6
STM32F207IEH6ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,我们只做原装,欢迎合作!
SCTW35N65G2VAG
汽车级碳化硅功率MOSFET 650 V、45 A、55 mOhm(典型值,TJ = 25 C),采用HiP247封装
这款碳化硅功率MOSFET器件采用意法半导体创新的2德·一代碳化硅MOSFET技术。该器件具有极低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号:
STM32L496QGI3
STM32F423ZHT6
STM32L496ZGT3
STM32L4R5QII6
STM32L4S5QII6
STM32L4R7VIT6
STM32F217IGH6
STM32L4S5ZIT6
STM32F746IGK6
STM32L4R9ZGJ6
STM32F746NGH6
STM32L4S9ZIJ6
STM32F777VIT6
STM32C011J6M6
STM32G030J6M6
ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,我们只做原装,欢迎合作!
STB100N10F7
N 沟道 100 V、0.0068 欧姆(典型值)、80 A STripFET F7 功率 MOSFET,采用 D2PAK 封装
这些 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F7 技术,具有增强的沟槽栅极结构,可实现非常低的导通电阻,同时还降低了内部电容和栅极电荷,从而实现更快、更的开关。
所有功能
在低的R中DS(开启)在市场上
的FoM(品质因数)
低 C.rss/C国际空间站抗扰度比
高雪崩性
ST意法其他部分单片机MCU型号:
STM32C011F4P6
STM32C011F6P6
STM32C031F6P6
STM32C031G6U6
STM32G031J6M6
STM32G050K8T6
STM32L011F3P6
STM32C031C6T6
STM32L011G3U6
STM32G031K6T6
ST/意法常用型号备有大量现货,我们只做原装,欢迎合作!
STD100N10F7
N沟道100 V、0.0068 Ohm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET,DPAK封装
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。
处于市面上低的 RDS(on) 行列
出色的品质因数(FoM)
较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
坚固的抗雪崩能力
STD100N3LF3:
N沟道30 V、0.0045 Ohm典型值、80 A STripFET(TM) II功率MOSFET,DPAK封装
ST意法其他部分MCU单片机型号:
STM32G431C6T6
STM32F302RBT6
STM32L072CZT6
STM32F334K8U6
STM32L433CBT6
STM32G441KBT6
STM32L451CCU6
STM32G431CBU3
STM32F373CBT6
STM32G0C1RET6
STM32F373RBT6
STM32L433CCU3
STM32G473CBU6
STM32L443RCT6
STM32L451CCU3
STM32L452RCT6
STM32L433CCT3
STM32G0B1VET6
STM32L433VCT6
STM32L552CCU6
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STFH10N60M2
N沟道600 V、0.55 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-220FP宽沿面封装
STFU10N80K5
N沟道800 V、0.470 Ohm典型值、9 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-220FP超窄引线封装
这些压 N 沟道功率 MOSFET 采用 MDmesh™ K5 技术设计,该技术基于创新的专有垂直结构。其结果是显著降低导通电阻和低栅极电荷,适用于需要功率密度和率的应用。
ST意法其他部分单片机型号:
STM32G051K6T6
STM32L031F6P7
STM32L031F4P3
STM32L011K4U6
STM32G031C6T6
STM32G031C8U6
STM32L041F6P7
STM32L011K4T6
STM32G031C8T6
STM32G051C8U6
STM32L021K4T6
STM32L010RBT6
STM32G051C8T6
STM32L041K6U6
STM32L031C6T6
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